文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間：2023-02-16 瀏覽數(shù)量：
隨著電子元器件的發(fā)展，靜電放電（Electro Static Discharge）對(duì)器件可靠性的危害愈發(fā)顯著。一方面，超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，使得器件尺寸進(jìn)一步縮小，器件對(duì)靜電變得更加敏感。
有統(tǒng)計(jì)表明，在由靜電放電產(chǎn)生的使用失效中，潛在性失效約90%，而突發(fā)性失效僅占10%。潛在性失效比突發(fā)性失效具有更大的危害，一方面是因?yàn)闈撛谛允щy以檢測(cè)，在器件制造時(shí)受到的潛在靜電損傷會(huì)影響使用時(shí)的壽命，而器件在裝配過程中受到的潛在靜電損傷會(huì)影響它裝入整機(jī)后的使用壽命；另外，靜電損傷具有積累性，即使一次靜電放電未能讓器件失效，多次靜電損傷累積起來(lái)最終必然使器件完全失效。
器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的差異，會(huì)令器件具有不同的靜電放電破壞電壓范圍。
部分器件的靜電破壞電壓區(qū)間：
| 各類晶體 | 靜電破壞電壓(Volts) |
CMOS(import protected) | 250~3000 |
VMOS | 30~1800 |
MOSFET | 100~200 |
GaaSFET | 100~300 |
EPROM | 100 |
JFET | 140~7200 |
SAW | 150~500 |
在器件的早期設(shè)計(jì)階段，引入對(duì)耐靜電放電能力的驗(yàn)證，顯得尤其重要。
目前對(duì)于器件的耐靜電放電能力的驗(yàn)證測(cè)試，一般參考MIL-STD、JEDEC、AEC-Q等標(biāo)準(zhǔn)， 下表中列舉靜電測(cè)試模型與對(duì)應(yīng)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
下表中列舉靜電測(cè)試模型與對(duì)應(yīng)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
| IC ESD 參考標(biāo)準(zhǔn) | MIL-STD | JEDEC | AEC-Q | Other |
| HBM (Human Body Mode) | MIL-STD-883 | JS-001 2017 | AEC-Q100-002 | - |
| MM(Machine Mode) | - | JESD22-C115 | AEC-Q100-003 | - |
| SCDM(Socket CDM) | - | - | - | ANSI/ESD SP5.3.2 |
| CDM(Non-Socket) | - | JS002-2018 | AEC-Q-100-011 | EIA/ESDA-5.3.1 |
| Latch-Up 參考標(biāo)準(zhǔn) | MIL-STD | JEDEC | AEC Q | Other |
| Room Temp. Test | - | JESD-78 | - | - |
| High Temp. Test | - | JESD-78 | AEC-Q100-004 | - |
| System ESD 參考標(biāo)準(zhǔn) | MIL-STD | JEDEC | AEC Q | Other |
| HBM(Human Body Mode) | - | - | AEC-Q200-002 | IEC61000-4-2 |
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