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文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間：2023-06-07 瀏覽數(shù)量：
高溫反向偏壓試驗(yàn)（High TemperatureReverseBias）,簡(jiǎn)稱(chēng)HTRB。是分立器件可靠性最重要的一個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目，實(shí)驗(yàn)在高溫條件下，模擬器件長(zhǎng)時(shí)間工作狀態(tài)中的耐受能力，以此可推算出實(shí)際應(yīng)用中器件的壽命和應(yīng)力大小。在器件量產(chǎn)或使用前按照實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景模擬實(shí)驗(yàn)，提前摸清器件應(yīng)力情況，可完全避免因應(yīng)力、環(huán)境導(dǎo)致的失效及影響，是出廠器件必不可少的一項(xiàng)老化實(shí)驗(yàn)。
暴露器件跟時(shí)間、應(yīng)力相關(guān)的缺陷，衡量當(dāng)前器件是否滿(mǎn)足規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)要求，排查出封裝或晶圓本身的質(zhì)量問(wèn)題。
可覆蓋車(chē)規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。
可覆蓋各種半導(dǎo)體分立器件（二極管、三極管、MOSFET 管 （增強(qiáng)型、耗盡型）、達(dá)林頓管、可控硅、IGBT）進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)，適用于各種封裝。
優(yōu)科實(shí)驗(yàn)室具備AEC-Q100/101/102/103/104/200標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)資質(zhì)和檢測(cè)能力，可提供車(chē)規(guī)級(jí)集成電路、分立半導(dǎo)體器件、光電半導(dǎo)體器件、傳感器、被動(dòng)元件等汽車(chē)電子元件AEC-Q檢測(cè)認(rèn)證服務(wù)。我們可依據(jù)產(chǎn)品使用條件和質(zhì)量指標(biāo)，定義符合汽車(chē)電子質(zhì)量要求的測(cè)試計(jì)劃，助力客戶(hù)快速進(jìn)入汽車(chē)電子市場(chǎng)。
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